STB50NF25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB50NF25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 465 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.069 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB50NF25 datasheet

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STB50NF25

STB50NF25 STP50NF25 N-channel 250V - 0.055 - 45A - D2PAK - TO-220 low gate charge STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID PW Max STP50NF25 250 V

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STB50NF25

STB50NE08 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB50NE08 80 V

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STB50NF25

STB50NE10 N-channel 100V - 0.021 - 50A - D2PAK STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB50NE10 100V

 8.3. Size:435K  st
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STB50NF25

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