STB50NF25 Todos los transistores

 

STB50NF25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB50NF25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 465 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.069 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB50NF25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  st
 stb50nf25 stp50nf25.pdf pdf_icon

STB50NF25

STB50NF25STP50NF25N-channel 250V - 0.055 - 45A - D2PAK - TO-220low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PWMaxSTP50NF25 250 V

 8.1. Size:95K  st
 stb50ne08.pdf pdf_icon

STB50NF25

STB50NE08N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB50NE08 80 V

 8.2. Size:443K  st
 stb50ne10.pdf pdf_icon

STB50NF25

STB50NE10N-channel 100V - 0.021 - 50A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB50NE10 100V

 8.3. Size:435K  st
 stb50nh02l.pdf pdf_icon

STB50NF25

STB50NH02LN-CHANNEL 24V - 0.011 - 50A DPAKSTripFET III POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB50NH02L 24 V

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History: MSF10N60 | APTC80A10SCTG | 2SK3596-01S | H15N10D | SHD218502B | DMT10H015LPS | KP780V9

 

 
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