STB50NF25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB50NF25
Código: 50NF25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 68.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 465 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.069 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB50NF25
STB50NF25 Datasheet (PDF)
stb50nf25 stp50nf25.pdf
STB50NF25STP50NF25N-channel 250V - 0.055 - 45A - D2PAK - TO-220low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PWMaxSTP50NF25 250 V
stb50ne08.pdf
STB50NE08N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB50NE08 80 V
stb50ne10.pdf
STB50NE10N-channel 100V - 0.021 - 50A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB50NE10 100V
stb50nh02l.pdf
STB50NH02LN-CHANNEL 24V - 0.011 - 50A DPAKSTripFET III POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB50NH02L 24 V
stb50n25m5.pdf
STB50N25M5N-channel 250 V, 0.055 , 28 A, D2PAKMDmesh V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTB50N25M5 250 V
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Liste
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