STB50NF25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STB50NF25
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STB50NF25 Datasheet (PDF)
stb50nf25 stp50nf25.pdf

STB50NF25STP50NF25N-channel 250V - 0.055 - 45A - D2PAK - TO-220low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PWMaxSTP50NF25 250 V
stb50ne08.pdf

STB50NE08N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB50NE08 80 V
stb50ne10.pdf

STB50NE10N-channel 100V - 0.021 - 50A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB50NE10 100V
stb50nh02l.pdf

STB50NH02LN-CHANNEL 24V - 0.011 - 50A DPAKSTripFET III POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB50NH02L 24 V
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: SWN6N70K | HUFA76407D3 | NDT6N70 | SVF2N60F | QM2416C1 | IPD50R280CE | SIR804DP
History: SWN6N70K | HUFA76407D3 | NDT6N70 | SVF2N60F | QM2416C1 | IPD50R280CE | SIR804DP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058