Справочник MOSFET. STB50NF25

 

STB50NF25 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STB50NF25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для STB50NF25

 

 

STB50NF25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  st
 stb50nf25 stp50nf25.pdf

STB50NF25 STB50NF25

STB50NF25STP50NF25N-channel 250V - 0.055 - 45A - D2PAK - TO-220low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PWMaxSTP50NF25 250 V

 8.1. Size:95K  st
 stb50ne08.pdf

STB50NF25 STB50NF25

STB50NE08N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB50NE08 80 V

 8.2. Size:443K  st
 stb50ne10.pdf

STB50NF25 STB50NF25

STB50NE10N-channel 100V - 0.021 - 50A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB50NE10 100V

 8.3. Size:435K  st
 stb50nh02l.pdf

STB50NF25 STB50NF25

STB50NH02LN-CHANNEL 24V - 0.011 - 50A DPAKSTripFET III POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB50NH02L 24 V

 8.4. Size:835K  st
 stb50n25m5.pdf

STB50NF25 STB50NF25

STB50N25M5N-channel 250 V, 0.055 , 28 A, D2PAKMDmesh V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTB50N25M5 250 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top