Справочник MOSFET. STB50NF25

 

STB50NF25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB50NF25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB50NF25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB50NF25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  st
 stb50nf25 stp50nf25.pdf pdf_icon

STB50NF25

STB50NF25STP50NF25N-channel 250V - 0.055 - 45A - D2PAK - TO-220low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PWMaxSTP50NF25 250 V

 8.1. Size:95K  st
 stb50ne08.pdf pdf_icon

STB50NF25

STB50NE08N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB50NE08 80 V

 8.2. Size:443K  st
 stb50ne10.pdf pdf_icon

STB50NF25

STB50NE10N-channel 100V - 0.021 - 50A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB50NE10 100V

 8.3. Size:435K  st
 stb50nh02l.pdf pdf_icon

STB50NF25

STB50NH02LN-CHANNEL 24V - 0.011 - 50A DPAKSTripFET III POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB50NH02L 24 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STB40NF20 , STB40NS15 , STB42N65M5 , STB45NF06 , STB4N62K3 , STB4NK60Z , STB4NK60Z-1 , STB50N25M5 , IRF630 , STB55NF03L , STB55NF06 , STB55NF06L , STB5N52K3 , STB5N62K3 , STB5NK50Z , STB60N55F3 , STB60NF06 .

History: SIR892DP | HYG060N08NS1V | UPA2730TP | 2SJ560 | GSM3458BW | IXFN210N20P

 

 
Back to Top

 


 
.