STB60NF06 Todos los transistores

 

STB60NF06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB60NF06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 108 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STB60NF06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:425K  st
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STB60NF06

STB60NF06N-CHANNEL 60V - 0.014 - 60A D2PAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB60NF06 60V

 ..2. Size:419K  st
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STB60NF06

STB60NF06STB60NF06-1N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAK/I2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB60NF06-1 60V

 ..3. Size:1410K  cn vbsemi
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STB60NF06

STB60NF06www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 60600.013 at VGS = 4.5 V 50DD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitVGSGate-Sourc

 0.1. Size:514K  st
 stb60nf06lt4 stb60nf06l stp60nf06l stp60nf06lfp stp60nf06lfp.pdf pdf_icon

STB60NF06

STB60NF06LSTP60NF06L - STP60NF06LFPN-channel 60V - 0.012 - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB60NF06L 60V

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History: VS3620DP-G | 2SJ152

 

 
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