STB60NF06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB60NF06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 108 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB60NF06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB60NF06 даташит

 ..1. Size:425K  st
 stb60nf06.pdf pdf_icon

STB60NF06

STB60NF06 N-CHANNEL 60V - 0.014 - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NF06 60V

 ..2. Size:419K  st
 stb60nf06 stb60nf06-1.pdf pdf_icon

STB60NF06

STB60NF06 STB60NF06-1 N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NF06-1 60V

 ..3. Size:1410K  cn vbsemi
 stb60nf06.pdf pdf_icon

STB60NF06

STB60NF06 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 60 60 0.013 at VGS = 4.5 V 50 D D2PAK (TO-263) G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit VGS Gate-Sourc

 0.1. Size:514K  st
 stb60nf06lt4 stb60nf06l stp60nf06l stp60nf06lfp stp60nf06lfp.pdf pdf_icon

STB60NF06

STB60NF06L STP60NF06L - STP60NF06LFP N-channel 60V - 0.012 - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FP STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NF06L 60V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB50NF25, STB55NF03L, STB55NF06, STB55NF06L, STB5N52K3, STB5N62K3, STB5NK50Z, STB60N55F3, 2N7000, STB60NF06L, STB60NF10, STB6N52K3, STB6NK60Z, STB6NK60Z-1, STB6NK90Z, STB70NF03L, STB70NF03L-1