STB6NK60Z Todos los transistores

 

STB6NK60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB6NK60Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STB6NK60Z Datasheet (PDF)

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STB6NK60Z

STB6NK60Z - STB6NK60Z-1STP6NK60ZFP - STP6NK60ZN-channel 600 V - 1 - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKZener-Protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PWSTB6NK60Z 600 V

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STB6NK60Z

STB6NK60Z - STB6NK60Z-1STP6NK60ZFP - STP6NK60ZN-channel 600 V - 1 - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKZener-Protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PWSTB6NK60Z 600 V

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STB6NK60Z

STP6NK90Z - STP6NK90ZFPSTB6NK90Z - STW7NK90ZN-channel 900V - 1.56 - 5.8A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP6NK90Z 900 V

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STB6NK60Z

STB6NK90ZT4, STP6NK90Z STP6NK90ZFP, STW7NK90ZDatasheetN-channel 900 V, 1.56 typ., 5.8 A SuperMESH Power MOSFET in D2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packagesFeaturesTABTAB3Order codes VDS RDS(on)max. ID123D PAKTO-220 21 STB6NK90ZT4STP6NK90Z900 V 2 5.8 ASTP6NK90ZFP32 STW7NK90Z312TO-220FPTO-2471 Extremely high dv/dt capability

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History: LSF70R450GT | DMN2170U | 2SK3511-ZJ | UPA1717 | IXTP180N055T | HM40N15KA | IPG20N06S4L-14

 

 
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