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STB7NK80Z-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB7NK80Z-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB7NK80Z-1

 

Principales características: STB7NK80Z-1

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STB7NK80Z-1

STB7NK80Z, STB7NK80Z-1 STP7NK80ZFP, STP7NK80Z N-channel 800 V, 1.5 , 5.2 A, TO-220,TO-220FP,D2PAK,I2PAK Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP7NK80Z 800V

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STB7NK80Z-1

STB7NK80Z, STB7NK80Z-1 STP7NK80ZFP, STP7NK80Z N-channel 800 V, 1.5 , 5.2 A, TO-220,TO-220FP,D2PAK,I2PAK Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP7NK80Z 800V

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STB7NK80Z-1

STB7N52K3, STD7N52K3 STF7N52K3, STP7N52K3 N-channel 525 V, 0.84 , 6.2 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 3 1 1 STB7N52K3 525 V

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 stb7n52k3 std7n52k3 stf7n52k3 stp7n52k3 2.pdf pdf_icon

STB7NK80Z-1

STB7N52K3, STD7N52K3 STF7N52K3, STP7N52K3 N-channel 525 V, 0.72 , 6 A, D PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFET Features RDS(on) Order codes VDSS ID Pw max. 3 3 1 1 STB7N52K3 90 W DPAK D PAK STD7N52K3 90 W 525 V

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