STB7NK80Z-1 Todos los transistores

 

STB7NK80Z-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB7NK80Z-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB7NK80Z-1

 

STB7NK80Z-1 Datasheet (PDF)

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STB7NK80Z-1
STB7NK80Z-1

STB7NK80Z, STB7NK80Z-1STP7NK80ZFP, STP7NK80ZN-channel 800 V, 1.5 , 5.2 A, TO-220,TO-220FP,D2PAK,I2PAKZener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STP7NK80Z 800V

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STB7NK80Z-1
STB7NK80Z-1

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STB7NK80Z-1
STB7NK80Z-1

STB7N52K3, STD7N52K3STF7N52K3, STP7N52K3N-channel 525 V, 0.84 , 6.2 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220SuperMESH3 Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax 3311STB7N52K3 525 V

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STB7NK80Z-1
STB7NK80Z-1

STB7N52K3, STD7N52K3STF7N52K3, STP7N52K3N-channel 525 V, 0.72 , 6 A, DPAK, DPAK, TO-220FP, TO-220SuperMESH3 Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order codes VDSS ID Pwmax. 3311STB7N52K3 90 WDPAKDPAKSTD7N52K3 90 W525 V

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STB7NA40N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on ) DSTB7NA40 400 V

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stb7nb50.pdf

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STB7NB60 N - CHANNEL 600V - 1.0 OMH - 7.2A - I2PAK/D2PAKPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB7NB60 600 V

 9.5. Size:61K  st
stb7nb40.pdf

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STB7NB40N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB7NB40 400 V

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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