STB80NF55L-08-1 Todos los transistores

 

STB80NF55L-08-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB80NF55L-08-1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: I2PAK

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STB80NF55L-08-1 datasheet

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STB80NF55L-08-1

STP80NF55L-08 STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1 N-CHANNEL 55V - 0.0065 - 80A - TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP80NF55L-08 55 V 0.008 80 A STB80NF55L-08 55 V 0.008 80 A STB80NF55L-08-1 55 V 0.008 80 A 3 3 1 TYPICAL RDS(on) = 0.0065 2 1 D2PAK LOW THRESHOLD DRIVE TO-220 LOGIC LEVEL DEVICE 3 2 1 I2PAK DESC

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STB80NF55L-08-1

STP80NF55L-08 STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1 N-CHANNEL 55V - 0.0065 - 80A - TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP80NF55L-08 55 V 0.008 80 A STB80NF55L-08 55 V 0.008 80 A STB80NF55L-08-1 55 V 0.008 80 A 3 3 1 TYPICAL RDS(on) = 0.0065 2 1 D2PAK LOW THRESHOLD DRIVE TO-220 LOGIC LEVEL DEVICE 3 2 1 I2PAK DESC

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STB80NF55L-08-1

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History: MMF65R600QTH | MMF80R450PBTH

 

 

 

 

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