STB80NF55L-08-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB80NF55L-08-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 75 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB80NF55L-08-1

STB80NF55L-08-1 Datasheet (PDF)

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STP80NF55L-08STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1N-CHANNEL 55V - 0.0065 - 80A - TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP80NF55L-08 55 V 0.008 80 ASTB80NF55L-08 55 V 0.008 80 ASTB80NF55L-08-1 55 V 0.008 80 A33 1 TYPICAL RDS(on) = 0.006521D2PAK LOW THRESHOLD DRIVETO-220 LOGIC LEVEL DEVICE321I2PAKDESC

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