STB80NF55L-08-1 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

STB80NF55L-08-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STB80NF55L-08-1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 145 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STB80NF55L-08-1

STB80NF55L-08-1 Datasheet (PDF)

0.1. Size:195K st
stp80nf55l-08 stb80nf55l-08 stb80nf55l-08-1.pdf

STP80NF55L-08STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1N-CHANNEL 55V - 0.0065 - 80A - TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP80NF55L-08 55 V 0.008 80 ASTB80NF55L-08 55 V 0.008 80 ASTB80NF55L-08-1 55 V 0.008 80 A33 1 TYPICAL RDS(on) = 0.006521D2PAK LOW THRESHOLD DRIVETO-220 LOGIC LEVEL DEVICE321I2PAKDESC

1.1. Size:195K st
stb80nf55l-08.pdf