STB80NF55L-08-1 - описание и поиск аналогов

 

STB80NF55L-08-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB80NF55L-08-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STB80NF55L-08-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB80NF55L-08-1 даташит

 0.1. Size:195K  st
stp80nf55l-08 stb80nf55l-08 stb80nf55l-08-1.pdfpdf_icon

STB80NF55L-08-1

STP80NF55L-08 STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1 N-CHANNEL 55V - 0.0065 - 80A - TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP80NF55L-08 55 V 0.008 80 A STB80NF55L-08 55 V 0.008 80 A STB80NF55L-08-1 55 V 0.008 80 A 3 3 1 TYPICAL RDS(on) = 0.0065 2 1 D2PAK LOW THRESHOLD DRIVE TO-220 LOGIC LEVEL DEVICE 3 2 1 I2PAK DESC

 1.1. Size:195K  st
stb80nf55l-08.pdfpdf_icon

STB80NF55L-08-1

STP80NF55L-08 STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1 N-CHANNEL 55V - 0.0065 - 80A - TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP80NF55L-08 55 V 0.008 80 A STB80NF55L-08 55 V 0.008 80 A STB80NF55L-08-1 55 V 0.008 80 A 3 3 1 TYPICAL RDS(on) = 0.0065 2 1 D2PAK LOW THRESHOLD DRIVE TO-220 LOGIC LEVEL DEVICE 3 2 1 I2PAK DESC

 2.1. Size:399K  st
stb80nf55l-06 stp80nf55l-06.pdfpdf_icon

STB80NF55L-08-1

Другие MOSFET... STB7NK80Z , STB7NK80Z-1 , STB80N20M5 , STB80NF03L-04 , STB80NF03L-04T4 , STB80NF10 , STB80NF55-08T4 , STB80NF55L-06 , 5N65 , STB80PF55 , STB85NF3LL , STB85NF55 , STB8N65M5 , STB8NM60 , STB8NM60D , STB95N3LLH6 , STB9NK50Z .

History: IXFP22N65X2M | STD12NF06L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.