STB8N65M5 Todos los transistores

 

STB8N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB8N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STB8N65M5 Datasheet (PDF)

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 stb8n65m5 std8n65m5 stf8n65m5 sti8n65m5 stp8n65m5 stu8n65m5.pdf pdf_icon

STB8N65M5

STB8N65M5, STD8N65M5, STF8N65M5STI8N65M5, STP8N65M5, STU8N65M5N-channel 650 V, 0.56 , 7 A MDmesh V Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, DPAK and IPAKFeaturesType VDSS @ TJmax RDS(on) max. ID3STB8N65M5133STD8N65M522DPAK1 1STF8N65M5TO-220710 V

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STB8N65M5

STB8N65M5, STD8N65M5, STF8N65M5STI8N65M5, STP8N65M5, STU8N65M5N-channel 650 V, 0.56 , 7 A MDmesh V Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, DPAK and IPAKFeaturesType VDSS @ TJmax RDS(on) max. ID3STB8N65M5133STD8N65M522DPAK1 1STF8N65M5TO-220710 V

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STB8N65M5

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

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 stb8nm60t4 std5nm60-1 std5nm60t4 stp8nm60fp.pdf pdf_icon

STB8N65M5

STD5NM60STB8NM60 - STP8NM60N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAKFeaturesType VDSS RDS(on) ID Pw31STD5NM60 650 V

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History: IRF7420 | AM4541C | DMN4010LFG | WSD30140DN56 | IXFP24N60X | 2N7002VC | SM6018NSUB

 

 
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