STD10NM60N Todos los transistores

 

STD10NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD10NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de STD10NM60N MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STD10NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  st
std10nm60n stf10nm60n stp10nm60n stu10nm60n.pdf pdf_icon

STD10NM60N

STD10NM60N, STF10NM60NSTP10NM60N, STU10NM60NN-channel 600 V, 0.53 , 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID Pw@TJmax max.33STD10NM60N 70 W2211STF10NM60N 25 WTO-220 TO-220FP650 V

 ..2. Size:997K  st
std10nm60n stf10nm60n stp10nm60n stu10nm60n 2.pdf pdf_icon

STD10NM60N

STD10NM60N, STF10NM60NSTP10NM60N, STU10NM60NN-channel 600 V, 0.53 , 8 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID Pw@TJmax max.33STD10NM60N 70 W2211STF10NM60N 25 WTO-220 TO-220FP650 V

 ..3. Size:1072K  st
std10nm60n stf10nm60n sti10nm60n stp10nm60n stu10nm60n.pdf pdf_icon

STD10NM60N

STD10NM60N, STF10NM60N,STI10NM60N, STP10NM60N, STU10NM60NN-channel 600 V, 0.53 typ., 10 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, IPAK, TO-220 and IPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABVDSS RDS(on) Order codes ID Pw@TJmax max.313STD10NM60N 70 W 3221DPAK 1STF10NM60N 25 WIPAKTO-220FPSTI10NM60N 650 V

 ..4. Size:208K  inchange semiconductor
std10nm60n.pdf pdf_icon

STD10NM60N

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STD10NM60NFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

Otros transistores... STB9NK50Z , STB9NK60Z , STB9NK60ZD , STB9NK70Z-1 , STB9NK90Z , STD100N3LF3 , STD10NF10 , STD10NM50N , 5N65 , STD10NM60ND , STD10NM65N , STD10PF06 , STD11NM50N , STD11NM60ND , STD120N4F6 , STD120N4LF6 , STD12N65M5 .

 

 
Back to Top

 


 
.