STD10NM60N - описание и поиск аналогов

 

STD10NM60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD10NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD10NM60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD10NM60N даташит

 ..1. Size:901K  st
std10nm60n stf10nm60n stp10nm60n stu10nm60n.pdfpdf_icon

STD10NM60N

STD10NM60N, STF10NM60N STP10NM60N, STU10NM60N N-channel 600 V, 0.53 , 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Order codes ID Pw @TJmax max. 3 3 STD10NM60N 70 W 2 2 1 1 STF10NM60N 25 W TO-220 TO-220FP 650 V

 ..2. Size:997K  st
std10nm60n stf10nm60n stp10nm60n stu10nm60n 2.pdfpdf_icon

STD10NM60N

STD10NM60N, STF10NM60N STP10NM60N, STU10NM60N N-channel 600 V, 0.53 , 8 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID Pw @TJmax max. 3 3 STD10NM60N 70 W 2 2 1 1 STF10NM60N 25 W TO-220 TO-220FP 650 V

 ..3. Size:1072K  st
std10nm60n stf10nm60n sti10nm60n stp10nm60n stu10nm60n.pdfpdf_icon

STD10NM60N

STD10NM60N, STF10NM60N, STI10NM60N, STP10NM60N, STU10NM60N N-channel 600 V, 0.53 typ., 10 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I PAK, TO-220 and IPAK packages Datasheet production data Features TAB TAB VDSS RDS(on) Order codes ID Pw @TJmax max. 3 1 3 STD10NM60N 70 W 3 2 2 1 DPAK 1 STF10NM60N 25 W I PAK TO-220FP STI10NM60N 650 V

 ..4. Size:208K  inchange semiconductor
std10nm60n.pdfpdf_icon

STD10NM60N

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STD10NM60N FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

Другие MOSFET... STB9NK50Z , STB9NK60Z , STB9NK60ZD , STB9NK70Z-1 , STB9NK90Z , STD100N3LF3 , STD10NF10 , STD10NM50N , 2SK3568 , STD10NM60ND , STD10NM65N , STD10PF06 , STD11NM50N , STD11NM60ND , STD120N4F6 , STD120N4LF6 , STD12N65M5 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.