STD14NM50N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD14NM50N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
- Selección de transistores por parámetros
STD14NM50N Datasheet (PDF)
stb14nm50n std14nm50n stp14nm50n stf14nm50n.pdf

STB14NM50N, STD14NM50NSTF14NM50N, STP14NM50NN-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmesh II Power MOSFETin DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID3TJmax max13STB14NM50N2DPAK1STD14NM50N550 V
stb14nm50n std14nm50n stf14nm50n stp14nm50n.pdf

STB14NM50N, STD14NM50NSTF14NM50N, STP14NM50NN-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmeshTM II Power MOSFETin DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID3TJmax max13STB14NM50N2DPAK1STD14NM50N550 V
std14nm50n.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor STD14NM50NFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol
std140n6f7.pdf

STD140N6F7DatasheetN-channel 60 V, 3.1 m typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeTABSTD140N6F7 60 V 3.8 m 80 A 134 W321 Among the lowest RDS(on) on the marketDPAK Excellent FoM (figure of merit) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunityD(2, TAB) High avalanche ruggednessApplications Switc
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History: IXFK32N80Q3 | SIR496DP | IRFR9220 | 2SK1573 | AO4914 | SI2301S | BFC23
History: IXFK32N80Q3 | SIR496DP | IRFR9220 | 2SK1573 | AO4914 | SI2301S | BFC23



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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