STD14NM50N Todos los transistores

 

STD14NM50N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD14NM50N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD14NM50N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1281K  st
stb14nm50n std14nm50n stp14nm50n stf14nm50n.pdf pdf_icon

STD14NM50N

STB14NM50N, STD14NM50NSTF14NM50N, STP14NM50NN-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmesh II Power MOSFETin DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID3TJmax max13STB14NM50N2DPAK1STD14NM50N550 V

 ..2. Size:1066K  st
stb14nm50n std14nm50n stf14nm50n stp14nm50n.pdf pdf_icon

STD14NM50N

STB14NM50N, STD14NM50NSTF14NM50N, STP14NM50NN-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmeshTM II Power MOSFETin DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID3TJmax max13STB14NM50N2DPAK1STD14NM50N550 V

 ..3. Size:262K  inchange semiconductor
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STD14NM50N

Isc N-Channel MOSFET Transistor STD14NM50NFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

 9.1. Size:551K  st
std140n6f7.pdf pdf_icon

STD14NM50N

STD140N6F7DatasheetN-channel 60 V, 3.1 m typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeTABSTD140N6F7 60 V 3.8 m 80 A 134 W321 Among the lowest RDS(on) on the marketDPAK Excellent FoM (figure of merit) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunityD(2, TAB) High avalanche ruggednessApplications Switc

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History: NP80N03NDE | 11N10 | ME25N15AL | FS14SM-9 | FQAF16N25

 

 
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