STD14NM50N - описание и поиск аналогов

 

STD14NM50N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD14NM50N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD14NM50N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD14NM50N даташит

 ..1. Size:1281K  st
stb14nm50n std14nm50n stp14nm50n stf14nm50n.pdfpdf_icon

STD14NM50N

STB14NM50N, STD14NM50N STF14NM50N, STP14NM50N N-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FP Features VDSS @ RDS(on) Type ID 3 TJmax max 1 3 STB14NM50N 2 DPAK 1 STD14NM50N 550 V

 ..2. Size:1066K  st
stb14nm50n std14nm50n stf14nm50n stp14nm50n.pdfpdf_icon

STD14NM50N

STB14NM50N, STD14NM50N STF14NM50N, STP14NM50N N-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmeshTM II Power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FP Features VDSS @ RDS(on) Type ID 3 TJmax max 1 3 STB14NM50N 2 DPAK 1 STD14NM50N 550 V

 ..3. Size:262K  inchange semiconductor
std14nm50n.pdfpdf_icon

STD14NM50N

Isc N-Channel MOSFET Transistor STD14NM50N FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol

 9.1. Size:551K  st
std140n6f7.pdfpdf_icon

STD14NM50N

STD140N6F7 Datasheet N-channel 60 V, 3.1 m typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code TAB STD140N6F7 60 V 3.8 m 80 A 134 W 3 2 1 Among the lowest RDS(on) on the market DPAK Excellent FoM (figure of merit) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity D(2, TAB) High avalanche ruggedness Applications Switc

Другие MOSFET... STD120N4F6 , STD120N4LF6 , STD12N65M5 , STD12NF06 , STD12NF06L , STD12NF06T4 , STD12NM50ND , STD13NM60N , P60NF06 , STD150N3LLH6 , STD155N3H6 , STD155N3LH6 , STD15NF10 , STD16N65M5 , STD16NF06 , STD16NF06L , STD16NF25 .

History: IXFP22N65X2M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.