STD14NM50N. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STD14NM50N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD14NM50N
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STD14NM50N даташит
stb14nm50n std14nm50n stp14nm50n stf14nm50n.pdf
STB14NM50N, STD14NM50N STF14NM50N, STP14NM50N N-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FP Features VDSS @ RDS(on) Type ID 3 TJmax max 1 3 STB14NM50N 2 DPAK 1 STD14NM50N 550 V
stb14nm50n std14nm50n stf14nm50n stp14nm50n.pdf
STB14NM50N, STD14NM50N STF14NM50N, STP14NM50N N-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmeshTM II Power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FP Features VDSS @ RDS(on) Type ID 3 TJmax max 1 3 STB14NM50N 2 DPAK 1 STD14NM50N 550 V
std14nm50n.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor STD14NM50N FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol
std140n6f7.pdf
STD140N6F7 Datasheet N-channel 60 V, 3.1 m typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code TAB STD140N6F7 60 V 3.8 m 80 A 134 W 3 2 1 Among the lowest RDS(on) on the market DPAK Excellent FoM (figure of merit) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity D(2, TAB) High avalanche ruggedness Applications Switc
Другие MOSFET... STD120N4F6 , STD120N4LF6 , STD12N65M5 , STD12NF06 , STD12NF06L , STD12NF06T4 , STD12NM50ND , STD13NM60N , P60NF06 , STD150N3LLH6 , STD155N3H6 , STD155N3LH6 , STD15NF10 , STD16N65M5 , STD16NF06 , STD16NF06L , STD16NF25 .
History: KNU8606A | HYG067N07NQ1B | SM7303ESKP | AO4614 | SI2305DS | FDD6680S | BSS316N
History: KNU8606A | HYG067N07NQ1B | SM7303ESKP | AO4614 | SI2305DS | FDD6680S | BSS316N
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845




