APT1004RKN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APT1004RKN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO220

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APT1004RKN datasheet

 ..1. Size:55K  apt
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APT1004RKN

D TO-220 G APT1004RKN 1000V 3.6A 4.00 S APT1004R2KN 1000V 3.5A 4.20 POWER MOS IV N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT1004R2KN APT1004RKN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 1000 1000 Volts ID Continuous Drain Current 3.5 3.6 Amps 1 IDM Pulsed Drain Current 14.0 14.4 Amps V

 6.1. Size:50K  apt
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APT1004RKN

D TO-257 G APT1004RGN 1000V 3.3A 4.00 S TM POWER MOS IV N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT1004RGN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 1000 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 3.3 Amps IDM Pulsed Drain Current 1 13.2 VGS Gate-Source Voltage 30 Volts Total Po

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APT1004RKN

 6.3. Size:50K  apt
 apt1004rcn.pdf pdf_icon

APT1004RKN

D TO-254 G APT1004RCN 1000V 3.6A 4.00 S TM POWER MOS IV N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT1004RCN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 1000 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 3.6 Amps IDM Pulsed Drain Current 1 14.4 VGS Gate-Source Voltage 30 Volts Total Po

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