Справочник MOSFET. APT1004RKN

 

APT1004RKN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT1004RKN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для APT1004RKN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT1004RKN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  apt
 apt1004rkn.pdf pdf_icon

APT1004RKN

DTO-220GAPT1004RKN 1000V 3.6A 4.00SAPT1004R2KN 1000V 3.5A 4.20POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1004R2KN APT1004RKN UNITVDSS Drain-Source Voltage 1000 1000 VoltsID Continuous Drain Current 3.5 3.6 Amps1IDM Pulsed Drain Current 14.0 14.4 AmpsV

 6.1. Size:50K  apt
 apt1004rgn.pdf pdf_icon

APT1004RKN

DTO-257GAPT1004RGN 1000V 3.3A 4.00STMPOWER MOS IVN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1004RGN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C3.3AmpsIDM Pulsed Drain Current 113.2VGS Gate-Source Voltage30 VoltsTotal Po

 6.2. Size:76K  apt
 apt1004rbnr.pdf pdf_icon

APT1004RKN

 6.3. Size:50K  apt
 apt1004rcn.pdf pdf_icon

APT1004RKN

DTO-254GAPT1004RCN 1000V 3.6A 4.00STMPOWER MOS IVN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1004RCN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C3.6AmpsIDM Pulsed Drain Current 114.4VGS Gate-Source Voltage30 VoltsTotal Po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APT1004R2AN , APT1004R2BN , APT1004R2CN , APT1004R2GN , APT1004RAN , APT1004RBN , APT1004RCN , APT1004RGN , 18N50 , APT10050B2VR , APT10050JN , APT10050JVFR , APT10050JVR , APT10050LVFR , APT10050LVR , APT10057WVR , APT10086BVFR .

History: VN0106N6 | AP09N70P-H | SSM3J133TU | VN0109N5 | FCPF4300N80Z | STH6N100 | STP10NA40FI

 

 
Back to Top

 


 
.