APT1004RKN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: APT1004RKN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
APT1004RKN Datasheet (PDF)
apt1004rkn.pdf

DTO-220GAPT1004RKN 1000V 3.6A 4.00SAPT1004R2KN 1000V 3.5A 4.20POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1004R2KN APT1004RKN UNITVDSS Drain-Source Voltage 1000 1000 VoltsID Continuous Drain Current 3.5 3.6 Amps1IDM Pulsed Drain Current 14.0 14.4 AmpsV
apt1004rgn.pdf

DTO-257GAPT1004RGN 1000V 3.3A 4.00STMPOWER MOS IVN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1004RGN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C3.3AmpsIDM Pulsed Drain Current 113.2VGS Gate-Source Voltage30 VoltsTotal Po
apt1004rcn.pdf

DTO-254GAPT1004RCN 1000V 3.6A 4.00STMPOWER MOS IVN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1004RCN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C3.6AmpsIDM Pulsed Drain Current 114.4VGS Gate-Source Voltage30 VoltsTotal Po
Другие MOSFET... APT1004R2AN , APT1004R2BN , APT1004R2CN , APT1004R2GN , APT1004RAN , APT1004RBN , APT1004RCN , APT1004RGN , 2N7000 , APT10050B2VR , APT10050JN , APT10050JVFR , APT10050JVR , APT10050LVFR , APT10050LVR , APT10057WVR , APT10086BVFR .
History: IRFP3703 | R6535KNZ1 | CHM83A3NGP | VSE002N03MS-G | RU1H35R | SI2308DS | 2SK3430-ZJ
History: IRFP3703 | R6535KNZ1 | CHM83A3NGP | VSE002N03MS-G | RU1H35R | SI2308DS | 2SK3430-ZJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205