STD16NF06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD16NF06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de STD16NF06 MOSFET
STD16NF06 Datasheet (PDF)
std16nf06.pdf
STD16NF06N-Channel 60V - 0.060 - 16A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSS RDS(on) IDTypeSTD16NF06 60V
std16nf06.pdf
STD16NF06www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise n
std16nf06t4.pdf
STD16NF06N-Channel 60V - 0.060 - 16A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSS RDS(on) IDTypeSTD16NF06 60V
std16nf06l-1.pdf
STD16NF06LSTD16NF06L-1N-channel 60V - 0.060 - 24A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD16NF06L-1 60V
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History: IRF7207PBF | TPC6011 | NDS9953A | KTK5131E | WST2315 | SSW60R190S2
History: IRF7207PBF | TPC6011 | NDS9953A | KTK5131E | WST2315 | SSW60R190S2
Liste
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