STD16NF06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD16NF06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Encapsulados: DPAK
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STD16NF06 datasheet
std16nf06.pdf
STD16NF06 N-Channel 60V - 0.060 - 16A - DPAK STripFET II Power MOSFET General features VDSS RDS(on) ID Type STD16NF06 60V
std16nf06.pdf
STD16NF06 www.VBsemi.tw N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a Available 175 C Junction Temperature 0.025 at VGS = 10 V 35 RoHS* 60 0.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANT TO-252 D G Drain Connected to Tab G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise n
std16nf06t4.pdf
STD16NF06 N-Channel 60V - 0.060 - 16A - DPAK STripFET II Power MOSFET General features VDSS RDS(on) ID Type STD16NF06 60V
std16nf06l-1.pdf
STD16NF06L STD16NF06L-1 N-channel 60V - 0.060 - 24A - DPAK/IPAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD16NF06L-1 60V
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History: P120NF10 | 2SK3705 | AGM405F | FCP099N65S3
History: P120NF10 | 2SK3705 | AGM405F | FCP099N65S3
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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