STD18N55M5 Todos los transistores

 

STD18N55M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD18N55M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 550 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD18N55M5 datasheet

 ..1. Size:752K  st
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STD18N55M5

STD18N55M5, STP18N55M5 Datasheet N-channel 550 V, 0.150 typ., 16 A MDmesh M5 Power MOSFETs in a DPAK and TO-220 packages Features VDS @ TAB RDS(on)max. Order code Package TAB Tjmax. 3 2 STD18N55M5 DPAK 1 600 V 0.192 3 2 STP18N55M5 TO-220 DPAK TO-220 1 Extremely low RDS(on) Low gate charge and input capacitance Excellent switching performance D(2, TA

 ..2. Size:1247K  st
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STD18N55M5

STB18N55M5, STD18N55M5 STF18N55M5, STP18N55M5 N-channel 550 V, 0.18 , 13 A, MDmesh V Power MOSFET in D PAK, DPAK, TO-220FP and TO-220 Features VDSS RDS(on) Order codes ID 3 @TJmax max 1 3 1 STB18N55M5 DPAK D PAK STD18N55M5 550 V

 ..3. Size:262K  inchange semiconductor
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STD18N55M5

Isc N-Channel MOSFET Transistor STD18N55M5 FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol

 8.1. Size:1107K  st
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STD18N55M5

STB18NF25 STD18NF25 N-channel 250 V, 0.14 , 17 A DPAK, D2PAK low gate charge STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID PTOT max STB18NF25 250 V

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History: 2SK3772-01 | FHP1906A | NCE60H10F | VS6880AT | 4N60KL-TF1-T | A9452 | 2SK2291

 

 

 

 

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