STD27N3LH5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD27N3LH5  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 22 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: DPAK

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de STD27N3LH5 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STD27N3LH5 datasheet

 ..1. Size:928K  st
 std27n3lh5 stp27n3lh5 stu27n3lh5.pdf pdf_icon

STD27N3LH5

STD27N3LH5, STP27N3LH5 STU27N3LH5 N-channel 30 V, 0.014 , 27 A, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID 3 3 STD27N3LH5 30 V 0.019 27 A 1 2 1 STP27N3LH5 30 V 0.020 27 A IPAK DPAK STU27N3LH5 30 V 0.020 27 A RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge 3

 ..2. Size:896K  cn vbsemi
 std27n3lh5.pdf pdf_icon

STD27N3LH5

STD27N3LH5 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 50 30 25 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 40 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABS

Otros transistores... STD1NK80Z, STD20NF06, STD20NF06L, STD20NF10, STD20NF20, STD25NF10, STD25NF10LA, STD26NF10, AOD4184A, STD2HNK60Z, STD2HNK60Z-1, STD2N62K3, STD2NC45-1, STD2NK100Z, STD2NK60Z-1, STD2NK70Z, STD2NK90Z