STD27N3LH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STD27N3LH5
   Código: 27N3LH5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD27N3LH5

STD27N3LH5 Datasheet (PDF)

..1. Size:928K st
std27n3lh5 stp27n3lh5 stu27n3lh5.pdf

STD27N3LH5, STP27N3LH5STU27N3LH5N-channel 30 V, 0.014 , 27 A, DPAK, IPAK, TO-220STripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID33STD27N3LH5 30 V 0.019 27 A 121STP27N3LH5 30 V 0.020 27 A IPAK DPAKSTU27N3LH5 30 V 0.020 27 A RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge3

..2. Size:896K cn vbsemi
std27n3lh5.pdf

STD27N3LH5www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 5030 25 nC0.009 at VGS = 4.5 V 40APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABS

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IXFN32N120

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: