STD27N3LH5 Todos los transistores

 

STD27N3LH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD27N3LH5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 30 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 22 V

Corriente continua de drenaje (Id): 27 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.019 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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STD27N3LH5 Datasheet (PDF)

1.1. std27n3lh5 stp27n3lh5 stu27n3lh5.pdf Size:928K _st

STD27N3LH5
STD27N3LH5

STD27N3LH5, STP27N3LH5 STU27N3LH5 N-channel 30 V, 0.014 Ω, 27 A, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID 3 3 STD27N3LH5 30 V 0.019 Ω 27 A 1 2 1 STP27N3LH5 30 V 0.020 Ω 27 A IPAK DPAK STU27N3LH5 30 V 0.020 Ω 27 A ■ RDS(on) * Qg industry benchmark ■ Extremely low on-resistance RDS(on) ■ Very low switching gate charge 3 ■

Otros transistores... GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , IRF250 , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL .

 

 
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