STD27N3LH5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD27N3LH5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de STD27N3LH5 MOSFET
STD27N3LH5 PDF Specs
std27n3lh5 stp27n3lh5 stu27n3lh5.pdf
STD27N3LH5, STP27N3LH5 STU27N3LH5 N-channel 30 V, 0.014 , 27 A, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID 3 3 STD27N3LH5 30 V 0.019 27 A 1 2 1 STP27N3LH5 30 V 0.020 27 A IPAK DPAK STU27N3LH5 30 V 0.020 27 A RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge 3 ... See More ⇒
std27n3lh5.pdf
STD27N3LH5 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 50 30 25 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 40 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABS... See More ⇒
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Liste
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