STD27N3LH5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STD27N3LH5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STD27N3LH5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD27N3LH5 даташит

 ..1. Size:928K  st
 std27n3lh5 stp27n3lh5 stu27n3lh5.pdf pdf_icon

STD27N3LH5

STD27N3LH5, STP27N3LH5 STU27N3LH5 N-channel 30 V, 0.014 , 27 A, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID 3 3 STD27N3LH5 30 V 0.019 27 A 1 2 1 STP27N3LH5 30 V 0.020 27 A IPAK DPAK STU27N3LH5 30 V 0.020 27 A RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge 3

 ..2. Size:896K  cn vbsemi
 std27n3lh5.pdf pdf_icon

STD27N3LH5

STD27N3LH5 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 50 30 25 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 40 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABS

Другие IGBT... STD1NK80Z, STD20NF06, STD20NF06L, STD20NF10, STD20NF20, STD25NF10, STD25NF10LA, STD26NF10, AOD4184A, STD2HNK60Z, STD2HNK60Z-1, STD2N62K3, STD2NC45-1, STD2NK100Z, STD2NK60Z-1, STD2NK70Z, STD2NK90Z