Справочник MOSFET. STD27N3LH5

 

STD27N3LH5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD27N3LH5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD27N3LH5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD27N3LH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:928K  st
 std27n3lh5 stp27n3lh5 stu27n3lh5.pdf pdf_icon

STD27N3LH5

STD27N3LH5, STP27N3LH5STU27N3LH5N-channel 30 V, 0.014 , 27 A, DPAK, IPAK, TO-220STripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID33STD27N3LH5 30 V 0.019 27 A 121STP27N3LH5 30 V 0.020 27 A IPAK DPAKSTU27N3LH5 30 V 0.020 27 A RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge3

 ..2. Size:896K  cn vbsemi
 std27n3lh5.pdf pdf_icon

STD27N3LH5

STD27N3LH5www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 5030 25 nC0.009 at VGS = 4.5 V 40APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABS

Другие MOSFET... STD1NK80Z , STD20NF06 , STD20NF06L , STD20NF10 , STD20NF20 , STD25NF10 , STD25NF10LA , STD26NF10 , BS170 , STD2HNK60Z , STD2HNK60Z-1 , STD2N62K3 , STD2NC45-1 , STD2NK100Z , STD2NK60Z-1 , STD2NK70Z , STD2NK90Z .

History: FDC637AN | IRF9333PBF | SI4559EY | FDME910PZT | SSF2301A | IRF720

 

 
Back to Top

 


 
.