STD30PF03L Todos los transistores

 

STD30PF03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD30PF03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 122 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STD30PF03L Datasheet (PDF)

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 std30pf03lt4 std30pf03l-1.pdf pdf_icon

STD30PF03L

STD30PF03LT4STD30PF03L-1P-channel 30 V - 0.025 - 24 A - DPAK / IPAKSTripFET II Power MOSFETFeatures Type VDSS RDS(on) max IDSTD30PF03LT4 30 V

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 std30pf03l-1 std30pf03lt4.pdf pdf_icon

STD30PF03L

STD30PF03LT4STD30PF03L-1P-channel 30 V - 0.025 - 24 A - DPAK / IPAKSTripFET II Power MOSFETFeatures Type VDSS RDS(on) max IDSTD30PF03LT4 30 V

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 std30pf03.pdf pdf_icon

STD30PF03L

STD30PF03www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.025 at VGS = - 4.5 V - 35APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchSTO-252 GDG D S P-Channel MOSFETA

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