STD35N3LH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STD35N3LH5
   Código: D35N3LH5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD35N3LH5

STD35N3LH5 Datasheet (PDF)

..1. Size:493K st
std35n3lh5.pdf

STD35N3LH5N-channel 30 V, 14 m, 35 A, DPAKSTripFET V Power MOSFETPreliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTD35N3LH5 30 V

8.1. Size:321K st
std35nf3ll.pdf

STD35NF3LLN-channel 30V - 0.014 - 35A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD35NF3LL 30V

8.2. Size:646K st
std35nf06lt4.pdf

STD35NF06LN-channel 60 V, 0.014 , 35 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) IDTABSTD35NF06LT4 60V

8.3. Size:318K st
std35nf3llt4.pdf

STD35NF3LLN-channel 30V - 0.014 - 35A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD35NF3LL 30V

8.4. Size:313K st
std35nf06t4.pdf

STD35NF06N-channel 60V - 0.018 - 35A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD35NF06 60V

8.5. Size:322K st
std35nf06.pdf

STD35NF06N-channel 60V - 0.018 - 35A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD35NF06 60V

8.6. Size:325K st
std35nf06l.pdf

STD35NF06LN-channel 60V - 0.014 - 35A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD35NF06L 60V

8.7. Size:128K samhop
stu35n10 std35n10.pdf

STU35N10GreenProductSTD35N10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.21 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.100V 35A30 @ VGS=4.5V GSSTU SERIES STD SERIES( ) ( )TO - 252AA D- PAK TO -

8.8. Size:1468K cn vbsemi
std35nf06lt4.pdf

STD35NF06LT4www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Lim

8.9. Size:771K cn vbsemi
std35nf06t4.pdf

STD35NF06T4www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: