STD40N2LH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STD40N2LH5
   Código: 40N2LH5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0118 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD40N2LH5

STD40N2LH5 Datasheet (PDF)

..1. Size:917K st
std40n2lh5 stu40n2lh5.pdf

STD40N2LH5STU40N2LH5N-channel 25 V, 0.01 , 40 A, DPAK, IPAKSTripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD40N2LH5 25 V 0.0118 40 A STU40N2LH5 25 V 0.0124 40 A332 RDS(on) * Qg industry benchmark11 Extremely low on-resistance RDS(on)DPAKIPAK Very low switching gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power l

8.1. Size:448K st
std40nf06.pdf

STD40NF06N-CHANNEL 60V - 0.024 - 40A DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD40NF06 60 V

8.2. Size:393K st
std40nf3llt4.pdf

STD40NF3LLN-channel 30V - 0.009 - 40A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD40NF3LL 30V

8.3. Size:362K st
std40nf03l.pdf

STD40NF03LN-channel 30V - 0.0090 - 40A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD40NF03L 30V

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std40nf3ll.pdf

STD40NF3LLN-channel 30V - 0.009 - 40A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD40NF3LL 30V

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std40nf06lz.pdf

STD40NF06LZN-CHANNEL 60V - 0.020 - 40A DPAKZener-Protected STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD40NF06LZ 60 V

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std40ne03l.pdf

STD40NE03L N - CHANNEL 30V - 0.012 - 40A - DPAKSTripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(o n) IDSTD40NE03L 30 V

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stp40nf10 std40nf10.pdf

STP40NF10STD40NF10 - STB40NF10N-CHANNEL 100V - 0.024 - 50A TO-220/DPAK/D2PAKLOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP40NF10 100 V

8.8. Size:478K st
std40nf10.pdf

STD40NF10DatasheetN-channel 100 V, 25 m typ., 50 A, STripFET II Power MOSFET in a DPAK packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDTypeTABSTD40NF10 100 V 28 m 50 A321 Exceptional dv/dt capabilityDPAK 100% avalanche tested Low gate chargeD(2, TAB)Applications Switching applicationsG(1)DescriptionThis Power MOSFET series has been developed using

8.9. Size:359K st
std40nf03lt4.pdf

STD40NF03LN-channel 30V - 0.0090 - 40A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD40NF03L 30V

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stp40nf10 std40nf10.pdf

STD40NF10STP40NF10N-channel 100V - 0.025 - 50A TO-220 / DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) Max IDSTD40NF10 100V

8.11. Size:106K samhop
stu40n01 std40n01.pdf

GrerrPPrPrProSTU/D40N01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.100V 40A 18 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.GGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SM1108NSF | SIHFI9640G

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: