Справочник MOSFET. STD40N2LH5

 

STD40N2LH5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STD40N2LH5
   Маркировка: 40N2LH5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0118 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STD40N2LH5

 

 

STD40N2LH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:917K  st
std40n2lh5 stu40n2lh5.pdf

STD40N2LH5
STD40N2LH5

STD40N2LH5STU40N2LH5N-channel 25 V, 0.01 , 40 A, DPAK, IPAKSTripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD40N2LH5 25 V 0.0118 40 A STU40N2LH5 25 V 0.0124 40 A332 RDS(on) * Qg industry benchmark11 Extremely low on-resistance RDS(on)DPAKIPAK Very low switching gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power l

 8.1. Size:448K  st
std40nf06.pdf

STD40N2LH5
STD40N2LH5

STD40NF06N-CHANNEL 60V - 0.024 - 40A DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD40NF06 60 V

 8.2. Size:393K  st
std40nf3llt4.pdf

STD40N2LH5
STD40N2LH5

STD40NF3LLN-channel 30V - 0.009 - 40A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD40NF3LL 30V

 8.3. Size:362K  st
std40nf03l.pdf

STD40N2LH5
STD40N2LH5

STD40NF03LN-channel 30V - 0.0090 - 40A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD40NF03L 30V

 8.4. Size:396K  st
std40nf3ll.pdf

STD40N2LH5
STD40N2LH5

STD40NF3LLN-channel 30V - 0.009 - 40A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD40NF3LL 30V

 8.5. Size:296K  st
std40nf06lz.pdf

STD40N2LH5
STD40N2LH5

STD40NF06LZN-CHANNEL 60V - 0.020 - 40A DPAKZener-Protected STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD40NF06LZ 60 V

 8.6. Size:36K  st
std40ne03l.pdf

STD40N2LH5
STD40N2LH5

STD40NE03L N - CHANNEL 30V - 0.012 - 40A - DPAKSTripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(o n) IDSTD40NE03L 30 V

 8.7. Size:685K  st
stp40nf10 std40nf10.pdf

STD40N2LH5
STD40N2LH5

STP40NF10STD40NF10 - STB40NF10N-CHANNEL 100V - 0.024 - 50A TO-220/DPAK/D2PAKLOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP40NF10 100 V

 8.8. Size:478K  st
std40nf10.pdf

STD40N2LH5
STD40N2LH5

STD40NF10DatasheetN-channel 100 V, 25 m typ., 50 A, STripFET II Power MOSFET in a DPAK packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDTypeTABSTD40NF10 100 V 28 m 50 A321 Exceptional dv/dt capabilityDPAK 100% avalanche tested Low gate chargeD(2, TAB)Applications Switching applicationsG(1)DescriptionThis Power MOSFET series has been developed using

 8.9. Size:359K  st
std40nf03lt4.pdf

STD40N2LH5
STD40N2LH5

STD40NF03LN-channel 30V - 0.0090 - 40A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD40NF03L 30V

 8.10. Size:373K  st
stp40nf10 std40nf10.pdf

STD40N2LH5
STD40N2LH5

STD40NF10STP40NF10N-channel 100V - 0.025 - 50A TO-220 / DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) Max IDSTD40NF10 100V

 8.11. Size:106K  samhop
stu40n01 std40n01.pdf

STD40N2LH5
STD40N2LH5

GrerrPPrPrProSTU/D40N01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.100V 40A 18 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.GGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top