STD55N4F5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STD55N4F5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD55N4F5

STD55N4F5 Datasheet (PDF)

..1. Size:777K st
std55n4f5.pdf

STD55N4F5N-channel 40 V, 7.3 m, 40 A, DPAKSTripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTD55N4F5 40 V

8.1. Size:520K st
std55nh2ll std55nh2ll-1.pdf

STD55NH2LLSTD55NH2LL-1N-channel 24V - 0.010 - 40A - DPAK/IPAKUltra low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD55NH2LL-1 24V

8.2. Size:519K st
std55nh2llt4.pdf

STD55NH2LLSTD55NH2LL-1N-channel 24V - 0.010 - 40A - DPAK/IPAKUltra low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD55NH2LL-1 24V

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Liste

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