STD55N4F5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD55N4F5
Маркировка: 55N4F5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 230 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпуса: DPAK
STD55N4F5 Datasheet (PDF)
std55n4f5.pdf
STD55N4F5N-channel 40 V, 7.3 m, 40 A, DPAKSTripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTD55N4F5 40 V
std55nh2ll std55nh2ll-1.pdf
STD55NH2LLSTD55NH2LL-1N-channel 24V - 0.010 - 40A - DPAK/IPAKUltra low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD55NH2LL-1 24V
std55nh2llt4.pdf
STD55NH2LLSTD55NH2LL-1N-channel 24V - 0.010 - 40A - DPAK/IPAKUltra low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD55NH2LL-1 24V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
