STD5NM60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD5NM60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD5NM60
STD5NM60 Datasheet (PDF)
stp8nm60 std5nm60 stb8nm60.pdf
STD5NM60STB8NM60 - STP8NM60N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAKFeaturesType VDSS RDS(on) ID Pw31STD5NM60 650 V
stp8nm60 std5nm60.pdf
STP8NM60, STP8NM60FPSTD5NM60, STD5NM60-1N-CHANNEL 600V - 0.9 - 8A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKMDmesh Power MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP8NM60 600 V
std5nm60 stb8nm60 stp8nm60.pdf
STD5NM60STB8NM60 - STP8NM60N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAKFeaturesType VDSS RDS(on) ID Pw31STD5NM60 650 V
stb8nm60t4 std5nm60-1 std5nm60t4 stp8nm60fp.pdf
STD5NM60STB8NM60 - STP8NM60N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAKFeaturesType VDSS RDS(on) ID Pw31STD5NM60 650 V
std5nm50.pdf
STD5NM50STD5NM50-1N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAKMDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5NM50 500V
std5nm50 std5nm50-1.pdf
STD5NM50STD5NM50-1N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAKMDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5NM50 500V
std5nm50t4.pdf
STD5NM50STD5NM50-1N-CHANNEL 500V - 0.7 - 7.5A DPAK/IPAKMDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5NM50 500V
std5nm50t4.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor STD5NM50T4FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.8100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSSV Gate-Source Voltage 30 V
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918