STD7NM80 Todos los transistores

 

STD7NM80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD7NM80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.05 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD7NM80 datasheet

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 std7nm80 std7nm80-1 stf7nm80 stp7nm80.pdf pdf_icon

STD7NM80

STD7NM80, STD7NM80-1 STF7NM80, STP7NM80 N-channel 800 V, 0.95 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STD7NM80 800 V

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STD7NM80

STD7NM80, STD7NM80-1 STF7NM80, STP7NM80 N-channel 800 V, 0.95 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STD7NM80 800 V

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STD7NM80

STD7NM60N, STF7NM60N, STU7NM60N Datasheet N-channel 600 V, 0.8 typ., 5 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and IPAK packages Features VDS RDS(on) max. ID Order code Package STD7NM60N DPAK STF7NM60N 600 V 0.9 5 A TO-220FP STU7NM60N IPAK D(2, TAB) 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance G(1) Applications

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STD7NM80

STD7NM64N N-channel 640 V, 5 A, 0.88 typ., MDmesh II Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID STD7NM64N 640 V 1.05 5 A TAB 100% avalanche tested 3 Low input capacitance and gate charge 1 Low gate input resistance DPAK Applications Switching applications Description Figure 1. Internal schematic

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