STE40NC60 Todos los transistores

 

STE40NC60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STE40NC60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOTOP
 

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STE40NC60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  st
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STE40NC60

STE40NC60N-CHANNEL 600V - 0.098 - 40A ISOTOPPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE40NC60 600V

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STE40NC60

STE40NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTE40NA60 600 V

 8.2. Size:311K  st
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STE40NC60

STE40NK90ZDN-channel 900V - 0.14 - 40A ISOTOPSuper FREDmesh MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTE40NK90ZD 900V

 8.3. Size:97K  st
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STE40NC60

STE40NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTE40NA60 600 V

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