STE48NM50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STE48NM50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOTOP
Búsqueda de reemplazo de STE48NM50 MOSFET
STE48NM50 Datasheet (PDF)
ste48nm50.pdf
STE48NM50N-CHANNEL 550V @ Tjmax - 0.08 - 48A ISOTOPMDmesh MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID(@Tjmax)STE48NM50 550V
Otros transistores... STD95N4LF3 , STD9NM50N , STD9NM60N , STE140NF20D , STE250NS10 , STE30NK90Z , STE40NC60 , STE40NK90ZD , IRFB4110 , STE53NC50 , STE70NM50 , STE70NM60 , STF10N62K3 , STF10N65K3 , STF10NK50Z , STF10NM50N , STF10NM60N .
History: SI4953DY | TK750A60F | WMS048NV6LG4 | AP2302GN | AP1A003P | HM12N20D | RUH30J95M
History: SI4953DY | TK750A60F | WMS048NV6LG4 | AP2302GN | AP1A003P | HM12N20D | RUH30J95M
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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