STE70NM50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STE70NM50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 980 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOTOP
Búsqueda de reemplazo de STE70NM50 MOSFET
STE70NM50 Datasheet (PDF)
ste70nm50.pdf
STE70NM50N-CHANNEL 500V - 0.045 - 70A ISOTOPZener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE70NM50 500V
ste70nm60.pdf
STE70NM60N-CHANNEL 600V - 0.050 - 70A ISOTOPZener-Protected MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE70NM60 600V
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Liste
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