STF11N65K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STF11N65K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STF11N65K3

STF11N65K3 Datasheet (PDF)

..1. Size:837K st
stf11n65k3.pdf

STF11N65K3N-channel 650 V, 0.765 , 11 A, TO-220FPSuperMESH3 Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTF10N65K3 650 V

6.1. Size:1017K st
stb11n65m5 std11n65m5 stf11n65m5 stp11n65m5.pdf

STB11N65M5, STD11N65M5 STF11N65M5, STP11N65M5DatasheetN-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh M5 Power MOSFETs in a DPAK, DPAK, TO-220FP and TO-220 packages FeaturesTABTAB32 VDS @311RDS(on)max. IDOrder codeDPAK2D PAKTjmax.TABSTB11N65M5STD11N65M5710 V 0.48 9 A3231 STF11N65M521TO-220TO-220FPSTP11N65M5D(2, TAB) Extremel

6.2. Size:1276K st
stb11n65m5 stf11n65m5 stp11n65m5 stu11n65m5.pdf

STB11N65M5, STD11N65M5, STF11N65M5, STP11N65M5, STU11N65M5N-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABTAB2VDSS @ RDS(on) 2 3Order codes ID 31TJmax max 132DPAKD2PAK 1STB11N65M5TO-220FPSTD11N65M5TABSTF11N65M5 710 V

6.3. Size:447K st
stf11n65m2-045y.pdf

STF11N65M2(045Y)DatasheetN-channel 650 V, 0.60 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP narrow leads packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTF11N65M2(045Y) 650 V 0.68 7 A 25 W Extremely low gate charge321 Excellent output capacitance (COSS) profileTO-220FP narrow leads 100% avalanche tested Zener-protectedD(2) Applications

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stf11n65m2 stf11n65m2 stfi11n65m2.pdf

STF11N65M2, STFI11N65M2N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on) max IDSTF11N65M2650 V 0.67 7 ASTFI11N65M2 Extremely low gate charge3 Lower RDS(on) x area vs previous generation12231 Low gate input resistance2TO-220FPI P

6.5. Size:735K st
stf11n65m2 stfi11n65m2.pdf

STF11N65M2, STFI11N65M2 N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP and IPAKFP packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTF11N65M2 650 V 0.68 7 A 25 W STFI11N65M2 Extremely low gate charge TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Excellent output capacitance (C ) profile OSS 100% avalanche teste

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Liste

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