STH300NH02L-6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STH300NH02L-6
Código: 300NH02L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1(min) VQgⓘ - Carga de la puerta: 109 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 275 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
Paquete / Cubierta: H2PAK6
STH300NH02L-6 Datasheet (PDF)
sth300nh02l-6.pdf

STH300NH02L-6Automotive-grade N-channel 24 V, 0.95 m typ., 180 A STripFET III Power MOSFET in a H2PAK-6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max. ID (1)TABSTH300NH02L-6 24 V
Otros transistores... STFW4N150 , STFW60N65M5 , STFW6N120K3 , STH180N10F3-2 , STH210N75F6-2 , STH250N55F3-6 , STH260N6F6-2 , STH270N4F3-6 , IRFB4115 , STH85N15F4-2 , STH90N15F4-2 , STI10N62K3 , STI12N65M5 , STI13NM60N , STI16N65M5 , STI18NM60N , STI200N6F3 .
History: IRF5NJ540 | PHD10N10E | SI5406CDC | IPD230N06LG | 2SK429 | HSU4103 | APT8014L2FLLG
History: IRF5NJ540 | PHD10N10E | SI5406CDC | IPD230N06LG | 2SK429 | HSU4103 | APT8014L2FLLG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992