STH300NH02L-6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STH300NH02L-6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 275 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3250 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
Тип корпуса: H2PAK6
Аналог (замена) для STH300NH02L-6
STH300NH02L-6 Datasheet (PDF)
sth300nh02l-6.pdf

STH300NH02L-6Automotive-grade N-channel 24 V, 0.95 m typ., 180 A STripFET III Power MOSFET in a H2PAK-6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max. ID (1)TABSTH300NH02L-6 24 V
Другие MOSFET... STFW4N150 , STFW60N65M5 , STFW6N120K3 , STH180N10F3-2 , STH210N75F6-2 , STH250N55F3-6 , STH260N6F6-2 , STH270N4F3-6 , IRFB4115 , STH85N15F4-2 , STH90N15F4-2 , STI10N62K3 , STI12N65M5 , STI13NM60N , STI16N65M5 , STI18NM60N , STI200N6F3 .
History: SNN3530NL | IPI65R600C6 | PSMN013-30MLC | STU413S | MTB12P04J3 | IXTP50N20PM | NCEP065N85
History: SNN3530NL | IPI65R600C6 | PSMN013-30MLC | STU413S | MTB12P04J3 | IXTP50N20PM | NCEP065N85



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992