STH85N15F4-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STH85N15F4-2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0186 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK2

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STH85N15F4-2 Datasheet (PDF)

..1. Size:433K st
sth85n15f4-2 stp85n15f4.pdf

STH85N15F4-2STP85N15F4N-channel 150 V, 0.015 , 85 A TO-220, H2PAKSTripFET DeepGATE Power MOSFETPreliminary dataFeaturesType VDSS RDS(on) max ID2STH85N15F4-2 150 V

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: