Справочник MOSFET. STH85N15F4-2

 

STH85N15F4-2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH85N15F4-2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0186 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STH85N15F4-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:433K  st
 sth85n15f4-2 stp85n15f4.pdf pdf_icon

STH85N15F4-2

STH85N15F4-2STP85N15F4N-channel 150 V, 0.015 , 85 A TO-220, H2PAKSTripFET DeepGATE Power MOSFETPreliminary dataFeaturesType VDSS RDS(on) max ID2STH85N15F4-2 150 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BSC12DN20NS3G | AP4511GED-HF

 

 
Back to Top

 


 
.