Справочник MOSFET. STH85N15F4-2

 

STH85N15F4-2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH85N15F4-2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0186 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK2
 

 Аналог (замена) для STH85N15F4-2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH85N15F4-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:433K  st
 sth85n15f4-2 stp85n15f4.pdf pdf_icon

STH85N15F4-2

STH85N15F4-2STP85N15F4N-channel 150 V, 0.015 , 85 A TO-220, H2PAKSTripFET DeepGATE Power MOSFETPreliminary dataFeaturesType VDSS RDS(on) max ID2STH85N15F4-2 150 V

Другие MOSFET... STFW60N65M5 , STFW6N120K3 , STH180N10F3-2 , STH210N75F6-2 , STH250N55F3-6 , STH260N6F6-2 , STH270N4F3-6 , STH300NH02L-6 , 2SK3878 , STH90N15F4-2 , STI10N62K3 , STI12N65M5 , STI13NM60N , STI16N65M5 , STI18NM60N , STI200N6F3 , STI21N65M5 .

History: AP9962AGP-HF | TMT2N40G | SP8M3

 

 
Back to Top

 


 
.