STH90N15F4-2 Todos los transistores

 

STH90N15F4-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH90N15F4-2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 315 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0156 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK2
 

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STH90N15F4-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  st
 sth90n15f4-2 stp90n15f4.pdf pdf_icon

STH90N15F4-2

STH90N15F4-2STP90N15F4N-channel 150 V, 12.5 m, 95 A TO-220, H2PAKSTripFET DeepGATE Power MOSFETPreliminary dataFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTH90N15F4-2 150 V

 8.1. Size:636K  st
 sth90n55f4-2 stp90n55f4.pdf pdf_icon

STH90N15F4-2

STH90N55F4-2STP90N55F4N-channel 55 V, 0.0064 , 90 A TO-220, H2PAKSTripFET DeepGATE Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTH90N55F4-2 55 V

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