STH90N15F4-2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STH90N15F4-2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0156 Ohm
Тип корпуса: H2PAK2
Аналог (замена) для STH90N15F4-2
STH90N15F4-2 Datasheet (PDF)
sth90n15f4-2 stp90n15f4.pdf

STH90N15F4-2STP90N15F4N-channel 150 V, 12.5 m, 95 A TO-220, H2PAKSTripFET DeepGATE Power MOSFETPreliminary dataFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTH90N15F4-2 150 V
sth90n55f4-2 stp90n55f4.pdf

STH90N55F4-2STP90N55F4N-channel 55 V, 0.0064 , 90 A TO-220, H2PAKSTripFET DeepGATE Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTH90N55F4-2 55 V
Другие MOSFET... STFW6N120K3 , STH180N10F3-2 , STH210N75F6-2 , STH250N55F3-6 , STH260N6F6-2 , STH270N4F3-6 , STH300NH02L-6 , STH85N15F4-2 , AON7408 , STI10N62K3 , STI12N65M5 , STI13NM60N , STI16N65M5 , STI18NM60N , STI200N6F3 , STI21N65M5 , STI22NM60N .
History: INK011BAP1 | AONE36132 | FDB0630N1507L | TPM603NT3 | FDB2532-F085 | CPH3340
History: INK011BAP1 | AONE36132 | FDB0630N1507L | TPM603NT3 | FDB2532-F085 | CPH3340



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970