STI22NM60N Todos los transistores

 

STI22NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STI22NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK
 

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STI22NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:818K  st
 stb22nm60n stf22nm60n sti22nm60n stp22nm60n stw22nm60n.pdf pdf_icon

STI22NM60N

STB22NM60N, STF22NM60N, STI22NM60NSTP22NM60N, STW22NM60NN-channel 600 V, 0.2 , 16 A MDmesh II Power MOSFETin D2PAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.31332STB22NM60N 650 V

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History: BSZ520N15NS3G | AP10TN004CMT | NVMFS5C456NL | UTM4052G-TN4-T | DMP2006UFG | 2SK2956 | TMPF8N80

 

 
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