STI32N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STI32N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.119 Ohm

Encapsulados: I2PAK

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STI32N65M5 datasheet

 ..1. Size:1086K  st
 stb32n65m5 stf32n65m5 sti32n65m5 stp32n65m5 stw32n65m5.pdf pdf_icon

STI32N65M5

STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5 STP32N65M5, STW32N65M5 N-channel 650 V, 0.095 , 24 A, MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS@ Type RDS(on) max ID TJmax 3 3 1 2 3 1 2 STB32N65M5 710 V

Otros transistores... STI22NM60N, STI23NM60ND, STI24NM60N, STI24NM65N, STI26NM60N, STI270N4F3, STI300N4F6, STI30N65M5, SKD502T, STI35N65M5, STI42N65M5, STI4N62K3, STI55NF03L, STI6N62K3, STI70N10F4, STI8N65M5, STL100N1VH5