STI32N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STI32N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.119 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
Búsqueda de reemplazo de STI32N65M5 MOSFET
STI32N65M5 Datasheet (PDF)
stb32n65m5 stf32n65m5 sti32n65m5 stp32n65m5 stw32n65m5.pdf

STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5STP32N65M5, STW32N65M5N-channel 650 V, 0.095 , 24 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS@ Type RDS(on) max IDTJmax 33123 12STB32N65M5 710 V
Otros transistores... STI22NM60N , STI23NM60ND , STI24NM60N , STI24NM65N , STI26NM60N , STI270N4F3 , STI300N4F6 , STI30N65M5 , IRF9540N , STI35N65M5 , STI42N65M5 , STI4N62K3 , STI55NF03L , STI6N62K3 , STI70N10F4 , STI8N65M5 , STL100N1VH5 .
History: PMV40UN2 | IPD90N06S4-05 | FDD2612 | AFN4906 | SIHP18N50C
History: PMV40UN2 | IPD90N06S4-05 | FDD2612 | AFN4906 | SIHP18N50C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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