STI8N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STI8N65M5
Código: 8N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 70 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 14 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 18 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
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STI8N65M5 Datasheet (PDF)
stb8n65m5 std8n65m5 stf8n65m5 sti8n65m5 stp8n65m5 stu8n65m5.pdf
STB8N65M5, STD8N65M5, STF8N65M5STI8N65M5, STP8N65M5, STU8N65M5N-channel 650 V, 0.56 , 7 A MDmesh V Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, DPAK and IPAKFeaturesType VDSS @ TJmax RDS(on) max. ID3STB8N65M5133STD8N65M522DPAK1 1STF8N65M5TO-220710 V
stb8n65m5 std8n65m5 stf8n65m5 stu8n65m5 stp8n65m5 sti8n65m5.pdf
STB8N65M5, STD8N65M5, STF8N65M5STI8N65M5, STP8N65M5, STU8N65M5N-channel 650 V, 0.56 , 7 A MDmesh V Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, DPAK and IPAKFeaturesType VDSS @ TJmax RDS(on) max. ID3STB8N65M5133STD8N65M522DPAK1 1STF8N65M5TO-220710 V
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