STL150N3LLH6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL150N3LLH6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6

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STL150N3LLH6 datasheet

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STL150N3LLH6

STL150N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0016 , 33 A PowerFLAT (6x5) STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL150N3LLH6 30 V 0.0024 33 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark PowerFLAT ( 6x5 ) Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power losses V

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STL150N3LLH6

STL150N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0016 , 33 A PowerFLAT (6x5) STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL150N3LLH6 30 V 0.0024 33 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark PowerFLAT ( 6x5 ) Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power losses V

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STL150N3LLH6

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STL150N3LLH6

STL15DN4F5 Dual N-channel 40 V, 8 m , 15 A PowerFLAT (5x6) double island, STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max. STL15DN4F5 40 V 9 m 15 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge PowerFLAT (5x6) Low gate drive power losses Double

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