STL150N3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL150N3LLH6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
- Selección de transistores por parámetros
STL150N3LLH6 Datasheet (PDF)
stl150n3llh6.pdf

STL150N3LLH6N-channel 30 V, 0.0016 , 33 A PowerFLAT (6x5)STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL150N3LLH6 30 V 0.0024 33 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmarkPowerFLAT ( 6x5 ) Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power losses V
stl150n3llh6.pdf

STL150N3LLH6N-channel 30 V, 0.0016 , 33 A PowerFLAT (6x5)STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL150N3LLH6 30 V 0.0024 33 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmarkPowerFLAT ( 6x5 ) Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power losses V
stl150n3llh5.pdf

STL150N3LLH5N-channel 30 V, 0.0014 , 35 A, PowerFLAT (6x5)STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL150N3LLH5 30 V
stl15dn4f5.pdf

STL15DN4F5Dual N-channel 40 V, 8 m, 15 APowerFLAT(5x6) double island, STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax.STL15DN4F5 40 V 9 m 15 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate chargePowerFLAT (5x6) Low gate drive power lossesDouble
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: ME2306BS-G | NVD14N03R
History: ME2306BS-G | NVD14N03R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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