STL23N85K5 Todos los transistores

 

STL23N85K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL23N85K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 850 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.275 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STL23N85K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:865K  st
 stl23n85k5.pdf pdf_icon

STL23N85K5

STL23N85K5N-channel 850 V, 0.2 typ., 12.5 A Zener-protectedSuperMESH5 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HVDatasheet preliminary dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on)max ID PWS(2) Bottom viewS(2)STL23N85K5 850 V

 8.1. Size:676K  st
 stl23ns3llh7.pdf pdf_icon

STL23N85K5

STL23NS3LLH7 N-channel 30 V, 0.0027 typ., 23 A STripFET H7 Power MOSFET plus monolithic Schottky in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTL23NS3LLH7 30 V 0.0037 23 A Very low on-resistance Very low Qg High avalanche ruggedness Embedded Schottky diode Applications Switching applicat

 8.2. Size:467K  st
 stl23nm60nd.pdf pdf_icon

STL23N85K5

STL23NM60NDN-channel 600 V, 0.150 , 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET(with fast diode) PowerFLAT (8x8) HVPreliminary dataFeaturesVDSSType RDS(on) max ID S(3) Bottom viewS(3)(@Tjmax)S(3)G(1)STL23NM60ND 650 V

 8.3. Size:653K  st
 stl23nm50n.pdf pdf_icon

STL23N85K5

STL23NM50NN-channel 500 V, 0.170 typ., 14 A MDmesh II Power MOSFETin a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet production dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL23NM50N 550 V

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