STL26NM60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL26NM60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.185 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT8X8HV

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STL26NM60N datasheet

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STL26NM60N

STL26NM60N N-channel 600 V, 0.160 , 19 A PowerFLAT (8x8) HV ultra low gate charge MDmesh II Power MOSFET Features VDSS @ RDS(on) Type ID S(3) Bottom view TJmax max S(3) S(3) G(1) STL26NM60N 650 V

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STL26NM60N

STL260N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0011 typ., 260 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL260N3LLH6 30 V 0.0013 260 A (1) 1. The value is rated according Rthj-c 1 Very low on-resistance RDS(on) 2 3 Very low gate charge 4 High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Application

Otros transistores... STL18N55M5, STL18NM60N, STL21N65M5, STL23N85K5, STL23NM60ND, STL24NM60N, STL25N15F3, STL25N15F4, STF13NM60N, STL32N55M5, STL35N15F3, STL40DN3LLH5, STL42N65M5, STL50N3LLH5, STL52N25M5, STL56N3LLH5, STL60N32N3LL