STL26NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL26NM60N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.185 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
Búsqueda de reemplazo de STL26NM60N MOSFET
STL26NM60N Datasheet (PDF)
stl26nm60n.pdf

STL26NM60NN-channel 600 V, 0.160 , 19 A PowerFLAT (8x8) HVultra low gate charge MDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDS(3) Bottom viewTJmax maxS(3)S(3)G(1)STL26NM60N 650 V
stl260n3llh6.pdf

STL260N3LLH6N-channel 30 V, 0.0011 typ., 260 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL260N3LLH6 30 V 0.0013 260 A (1)1. The value is rated according Rthj-c1 Very low on-resistance RDS(on)23 Very low gate charge4 High avalanche ruggednessPowerFLAT5x6Application
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History: AP65SL190AI | CEM4248 | UPA2728GR
History: AP65SL190AI | CEM4248 | UPA2728GR



Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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