STL26NM60N Todos los transistores

 

STL26NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL26NM60N
   Código: 26NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.185 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
     - Selección de transistores por parámetros

 

STL26NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:692K  st
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STL26NM60N

STL26NM60NN-channel 600 V, 0.160 , 19 A PowerFLAT (8x8) HVultra low gate charge MDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDS(3) Bottom viewTJmax maxS(3)S(3)G(1)STL26NM60N 650 V

 9.1. Size:942K  st
 stl260n3llh6.pdf pdf_icon

STL26NM60N

STL260N3LLH6N-channel 30 V, 0.0011 typ., 260 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL260N3LLH6 30 V 0.0013 260 A (1)1. The value is rated according Rthj-c1 Very low on-resistance RDS(on)23 Very low gate charge4 High avalanche ruggednessPowerFLAT5x6Application

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History: RJK0226DNS | JSM7409 | CS3N65F | DMP31D0UFB4 | HMS21N70A | MEM2302 | AUIRFR2905Z

 

 
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