STL26NM60N Todos los transistores

 

STL26NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL26NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.185 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
 

 Búsqueda de reemplazo de STL26NM60N MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STL26NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:692K  st
 stl26nm60n.pdf pdf_icon

STL26NM60N

STL26NM60NN-channel 600 V, 0.160 , 19 A PowerFLAT (8x8) HVultra low gate charge MDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDS(3) Bottom viewTJmax maxS(3)S(3)G(1)STL26NM60N 650 V

 9.1. Size:942K  st
 stl260n3llh6.pdf pdf_icon

STL26NM60N

STL260N3LLH6N-channel 30 V, 0.0011 typ., 260 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL260N3LLH6 30 V 0.0013 260 A (1)1. The value is rated according Rthj-c1 Very low on-resistance RDS(on)23 Very low gate charge4 High avalanche ruggednessPowerFLAT5x6Application

Otros transistores... STL18N55M5 , STL18NM60N , STL21N65M5 , STL23N85K5 , STL23NM60ND , STL24NM60N , STL25N15F3 , STL25N15F4 , IRF2807 , STL32N55M5 , STL35N15F3 , STL40DN3LLH5 , STL42N65M5 , STL50N3LLH5 , STL52N25M5 , STL56N3LLH5 , STL60N32N3LL .

History: IPS60R360PFD7S | MTH15N40 | SI3911DV-T1

 

 
Back to Top

 


 
.