STL26NM60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STL26NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV

Аналог (замена) для STL26NM60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL26NM60N даташит

 ..1. Size:692K  st
 stl26nm60n.pdf pdf_icon

STL26NM60N

STL26NM60N N-channel 600 V, 0.160 , 19 A PowerFLAT (8x8) HV ultra low gate charge MDmesh II Power MOSFET Features VDSS @ RDS(on) Type ID S(3) Bottom view TJmax max S(3) S(3) G(1) STL26NM60N 650 V

 9.1. Size:942K  st
 stl260n3llh6.pdf pdf_icon

STL26NM60N

STL260N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0011 typ., 260 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL260N3LLH6 30 V 0.0013 260 A (1) 1. The value is rated according Rthj-c 1 Very low on-resistance RDS(on) 2 3 Very low gate charge 4 High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Application

Другие IGBT... STL18N55M5, STL18NM60N, STL21N65M5, STL23N85K5, STL23NM60ND, STL24NM60N, STL25N15F3, STL25N15F4, STF13NM60N, STL32N55M5, STL35N15F3, STL40DN3LLH5, STL42N65M5, STL50N3LLH5, STL52N25M5, STL56N3LLH5, STL60N32N3LL