Справочник MOSFET. STL26NM60N

 

STL26NM60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL26NM60N
   Маркировка: 26NM60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV
 

 Аналог (замена) для STL26NM60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL26NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:692K  st
 stl26nm60n.pdf pdf_icon

STL26NM60N

STL26NM60NN-channel 600 V, 0.160 , 19 A PowerFLAT (8x8) HVultra low gate charge MDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDS(3) Bottom viewTJmax maxS(3)S(3)G(1)STL26NM60N 650 V

 9.1. Size:942K  st
 stl260n3llh6.pdf pdf_icon

STL26NM60N

STL260N3LLH6N-channel 30 V, 0.0011 typ., 260 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL260N3LLH6 30 V 0.0013 260 A (1)1. The value is rated according Rthj-c1 Very low on-resistance RDS(on)23 Very low gate charge4 High avalanche ruggednessPowerFLAT5x6Application

Другие MOSFET... STL18N55M5 , STL18NM60N , STL21N65M5 , STL23N85K5 , STL23NM60ND , STL24NM60N , STL25N15F3 , STL25N15F4 , IRF2807 , STL32N55M5 , STL35N15F3 , STL40DN3LLH5 , STL42N65M5 , STL50N3LLH5 , STL52N25M5 , STL56N3LLH5 , STL60N32N3LL .

History: ME2303 | CS2N65A3HY | BL10N65A-A | CS4N60A4HD

 

 
Back to Top

 


 
.