STL40DN3LLH5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL40DN3LLH5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 22 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6DI

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STL40DN3LLH5 datasheet

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STL40DN3LLH5

STL40DN3LLH5 Dual N-channel 30 V, 0.016 , 11 A PowerFLAT (5x6) double island, STripFET V Power MOSFET Preliminary data Features Type VDSS RDSo(n) ID STL40DN3LLH5 30 V

 9.1. Size:1747K  st
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STL40DN3LLH5

STL40N75LF3 N-channel 75 V, 16 m typ., 10 A STripFET III Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDSS ID max. 1 STL40N75LF3 75 V 19 m 10 A 2 3 4 N-channel enhancement mode Low gate charge PowerFLAT 5x6 Low threshold voltage device Applications Figure 1. Internal schematic diagram Switching

 9.2. Size:1434K  st
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STL40DN3LLH5

STL40C30H3LL N-channel 30 V, 0.019 typ., 10 A, P-channel 30 V, 0.024 typ.,8 A STripFET VI Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 d. i. package Datasheet - production data Features Order code Channel VDS RDS(on) max ID N 0.021 @ 10 V 10 A STL40C30H3LL 30 V P0.03 @ 10 V 8 A 1 2 RDS(on) * Qg industry benchmark 3 4 Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanc

 9.3. Size:1233K  st
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STL40DN3LLH5

STL40N10F7 N-channel 100 V, 0.02 typ., 10 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID PTOT STL40N10F7 100 V 0.024 10 A 5 W Ultra low on-resistance 1 2 3 100% avalanche tested 4 PowerFLAT 5x6 Applications Switching applications Description Figure 1. Internal sche

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