Справочник MOSFET. STL40DN3LLH5

 

STL40DN3LLH5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STL40DN3LLH5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT5X6DI

 Аналог (замена) для STL40DN3LLH5

 

 

STL40DN3LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:505K  st
 stl40dn3llh5.pdf

STL40DN3LLH5 STL40DN3LLH5

STL40DN3LLH5Dual N-channel 30 V, 0.016 , 11 APowerFLAT (5x6) double island, STripFET V Power MOSFETPreliminary dataFeaturesType VDSS RDSo(n) IDSTL40DN3LLH5 30 V

 9.1. Size:1747K  st
 stl40n75lf3.pdf

STL40DN3LLH5 STL40DN3LLH5

STL40N75LF3N-channel 75 V, 16 m typ., 10 A STripFET III Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmax.1STL40N75LF3 75 V 19 m 10 A 234 N-channel enhancement mode Low gate chargePowerFLAT 5x6 Low threshold voltage deviceApplicationsFigure 1. Internal schematic diagram Switching

 9.2. Size:1434K  st
 stl40c30h3ll.pdf

STL40DN3LLH5 STL40DN3LLH5

STL40C30H3LLN-channel 30 V, 0.019 typ., 10 A, P-channel 30 V, 0.024 typ.,8 ASTripFET VI Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 d. i. packageDatasheet - production dataFeatures Order code Channel VDS RDS(on) max IDN 0.021 @ 10 V 10 ASTL40C30H3LL 30 VP0.03 @ 10 V 8 A12 RDS(on) * Qg industry benchmark34 Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanc

 9.3. Size:1233K  st
 stl40n10f7.pdf

STL40DN3LLH5 STL40DN3LLH5

STL40N10F7N-channel 100 V, 0.02 typ., 10 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID PTOTSTL40N10F7 100 V 0.024 10 A 5 W Ultra low on-resistance123 100% avalanche tested4PowerFLAT 5x6 Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal sche

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top