STL42N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STL42N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.079 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL42N65M5

STL42N65M5 Datasheet (PDF)

..1. Size:680K st
stl42n65m5.pdf

STL42N65M5N-channel 650 V, 0.070 , 34 A MDmesh V Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet preliminary dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Order code IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL42N65M5 710 V

9.1. Size:439K st
stl42p4llf6.pdf

STL42P4LLF6 P-channel 40 V, 0.0155 typ.,42 A, STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTL42P4LLF6 40 V 0.018 42 A 75 W 123 Very low on-resistance 4 Very low gate charge High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Low gate drive power loss Applications

9.2. Size:458K st
stl42p6llf6.pdf

STL42P6LLF6 P-channel 60 V, 0.023 typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTL42P6LLF6 60 V 0.026 @ 10 V 42 A 1234 Very low on-resistance Very low gate charge PowerFLAT 5x6 High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Fi

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