STL42N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL42N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.079 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
Búsqueda de reemplazo de STL42N65M5 MOSFET
STL42N65M5 Datasheet (PDF)
stl42n65m5.pdf

STL42N65M5N-channel 650 V, 0.070 , 34 A MDmesh V Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet preliminary dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Order code IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL42N65M5 710 V
stl42p4llf6.pdf

STL42P4LLF6 P-channel 40 V, 0.0155 typ.,42 A, STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTL42P4LLF6 40 V 0.018 42 A 75 W 123 Very low on-resistance 4 Very low gate charge High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Low gate drive power loss Applications
stl42p6llf6.pdf

STL42P6LLF6 P-channel 60 V, 0.023 typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTL42P6LLF6 60 V 0.026 @ 10 V 42 A 1234 Very low on-resistance Very low gate charge PowerFLAT 5x6 High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Fi
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History: BUK7K6R2-40E | WFP830 | LSE60R1K4HT | DMS3017SSD | SVF4N65CAD | IPA65R600C6
History: BUK7K6R2-40E | WFP830 | LSE60R1K4HT | DMS3017SSD | SVF4N65CAD | IPA65R600C6



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