STL42N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL42N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.079 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT8X8HV

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STL42N65M5 datasheet

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STL42N65M5

STL42N65M5 N-channel 650 V, 0.070 , 34 A MDmesh V Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet preliminary data Features VDSS @ RDS(on) Order code ID S(2) Bottom view TJmax max S(2) S(2) G(1) STL42N65M5 710 V

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STL42N65M5

STL42P4LLF6 P-channel 40 V, 0.0155 typ.,42 A, STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STL42P4LLF6 40 V 0.018 42 A 75 W 1 2 3 Very low on-resistance 4 Very low gate charge High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Low gate drive power loss Applications

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STL42N65M5

STL42P6LLF6 P-channel 60 V, 0.023 typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STL42P6LLF6 60 V 0.026 @ 10 V 42 A 1 2 3 4 Very low on-resistance Very low gate charge PowerFLAT 5x6 High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Fi

Otros transistores... STL23NM60ND, STL24NM60N, STL25N15F3, STL25N15F4, STL26NM60N, STL32N55M5, STL35N15F3, STL40DN3LLH5, P60NF06, STL50N3LLH5, STL52N25M5, STL56N3LLH5, STL60N32N3LL, STL60N3LLH5, STL65DN3LLH5, STL65N3LLH5, STL70N2LLH5