STL42N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STL42N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.079 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV

Аналог (замена) для STL42N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL42N65M5 даташит

 ..1. Size:680K  st
 stl42n65m5.pdf pdf_icon

STL42N65M5

STL42N65M5 N-channel 650 V, 0.070 , 34 A MDmesh V Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet preliminary data Features VDSS @ RDS(on) Order code ID S(2) Bottom view TJmax max S(2) S(2) G(1) STL42N65M5 710 V

 9.1. Size:439K  st
 stl42p4llf6.pdf pdf_icon

STL42N65M5

STL42P4LLF6 P-channel 40 V, 0.0155 typ.,42 A, STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STL42P4LLF6 40 V 0.018 42 A 75 W 1 2 3 Very low on-resistance 4 Very low gate charge High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Low gate drive power loss Applications

 9.2. Size:458K  st
 stl42p6llf6.pdf pdf_icon

STL42N65M5

STL42P6LLF6 P-channel 60 V, 0.023 typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STL42P6LLF6 60 V 0.026 @ 10 V 42 A 1 2 3 4 Very low on-resistance Very low gate charge PowerFLAT 5x6 High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Fi

Другие IGBT... STL23NM60ND, STL24NM60N, STL25N15F3, STL25N15F4, STL26NM60N, STL32N55M5, STL35N15F3, STL40DN3LLH5, P60NF06, STL50N3LLH5, STL52N25M5, STL56N3LLH5, STL60N32N3LL, STL60N3LLH5, STL65DN3LLH5, STL65N3LLH5, STL70N2LLH5