STL56N3LLH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STL56N3LLH5
   Código: 56N3LH5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6

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STL56N3LLH5 Datasheet (PDF)

..1. Size:994K st
stl56n3llh5.pdf

STL56N3LLH5N-channel 30 V, 0.0076 typ., 56 A STripFET H5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max IDSTL56N3LLH5 30 V 0.009 56 A Low on-resistance RDS(on)1 High avalanche ruggedness234 Low gate drive power lossPowerFLAT 5x6Applications Switching applicationsDescriptionF

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