STL56N3LLH5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL56N3LLH5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6

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STL56N3LLH5 datasheet

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STL56N3LLH5

STL56N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0076 typ., 56 A STripFET H5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL56N3LLH5 30 V 0.009 56 A Low on-resistance RDS(on) 1 High avalanche ruggedness 2 3 4 Low gate drive power loss PowerFLAT 5x6 Applications Switching applications Description F

Otros transistores... STL25N15F4, STL26NM60N, STL32N55M5, STL35N15F3, STL40DN3LLH5, STL42N65M5, STL50N3LLH5, STL52N25M5, IRFB31N20D, STL60N32N3LL, STL60N3LLH5, STL65DN3LLH5, STL65N3LLH5, STL70N2LLH5, STL70N4LLF5, STL75N3LLZH5, STL75N8LF6