STL56N3LLH5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STL56N3LLH5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT5X6
Аналог (замена) для STL56N3LLH5
STL56N3LLH5 Datasheet (PDF)
stl56n3llh5.pdf

STL56N3LLH5N-channel 30 V, 0.0076 typ., 56 A STripFET H5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max IDSTL56N3LLH5 30 V 0.009 56 A Low on-resistance RDS(on)1 High avalanche ruggedness234 Low gate drive power lossPowerFLAT 5x6Applications Switching applicationsDescriptionF
Другие MOSFET... STL25N15F4 , STL26NM60N , STL32N55M5 , STL35N15F3 , STL40DN3LLH5 , STL42N65M5 , STL50N3LLH5 , STL52N25M5 , IRF730 , STL60N32N3LL , STL60N3LLH5 , STL65DN3LLH5 , STL65N3LLH5 , STL70N2LLH5 , STL70N4LLF5 , STL75N3LLZH5 , STL75N8LF6 .
History: DMN53D0LV | IPD035N06L3G
History: DMN53D0LV | IPD035N06L3G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304