STL56N3LLH5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STL56N3LLH5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL56N3LLH5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL56N3LLH5 даташит

 ..1. Size:994K  st
 stl56n3llh5.pdf pdf_icon

STL56N3LLH5

STL56N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0076 typ., 56 A STripFET H5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL56N3LLH5 30 V 0.009 56 A Low on-resistance RDS(on) 1 High avalanche ruggedness 2 3 4 Low gate drive power loss PowerFLAT 5x6 Applications Switching applications Description F

Другие IGBT... STL25N15F4, STL26NM60N, STL32N55M5, STL35N15F3, STL40DN3LLH5, STL42N65M5, STL50N3LLH5, STL52N25M5, IRFB31N20D, STL60N32N3LL, STL60N3LLH5, STL65DN3LLH5, STL65N3LLH5, STL70N2LLH5, STL70N4LLF5, STL75N3LLZH5, STL75N8LF6